存储芯片

【美股异动｜存储概念股拉升，闪迪涨超6%，SK海力士、美光涨超5%】格隆汇9月17日｜存储概念股盘初拉升，闪迪涨超6%，SK海力士、美光科技涨超5%，慧荣科技涨超4%，西部数据、希捷科技涨超2%。消息面上，美光科技CEO高级顾问、前执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana日前表示，当前内存短缺覆盖多个市场领域，即使公司在全球推进约20个扩产项目，真正有意义的新增供应也要到2028年才会开始爬坡；至于供需何时重新恢复平衡，美光目前仍“看不到明确时间”。(格隆汇)

电报 ·2分钟前

【美股异动丨芯片股盘前走强 英特尔、SK海力士涨超3%】格隆汇9月17日｜SK海力士、英特尔、高通、西部数据、闪迪、希捷科技盘前均涨超3%，英伟达、美光科技、阿斯麦、博通涨超2%，台积电涨超1%。

电报 ·47分钟前

【三星或加快推出第二代三折叠手机】格隆汇9月17日｜韩国科技业记者Lanzuk称，三星第二代三折叠手机Galaxy Z TriFold 2或提前至明年7月发布，第二代三折叠手机的售价将与第一代产品相同，为2899美元。业内认为三星加快折叠屏新机推进节奏，是为了应对苹果带来的竞争压力。

电报 ·3小时前

【华为推出OceanStor M900 AI记忆存储】格隆汇9月17日｜据科创板日报，在今日的华为全联接大会2026上，华为推出基于灵衢打造AI记忆存储-OceanStor M900。Agent与长序列需要多层次KV Cache架构，面向Agent推理系统，华为提出了多层KV缓存架构，推出基于灵衢UnifiedBus、支持“一跳直连”的华为L3.5层PB级KV缓存——OceanStor M900集群。同时，M900采用混合介质加优化Retention算法，可将SSD读写寿命提升16倍，从底层保障KV命中和长稳可靠。

电报 ·9小时前

【保录用、全额奖学金！三星、SK海力士争抢韩国大学“顶尖芯片人才”】格隆汇9月17日｜据市场消息，韩国两大芯片巨头将人才争夺战的战场从招聘市场前移至大学课堂。三星电子和SK海力士与韩国多所顶尖高校合作，设立"契约学系"——提供全额奖学金、保障就业机会，换取学生毕业后加入公司。这类项目的申请热度正在快速升温，竞争激烈程度逐年加剧。2026学年，三星相关项目申请人数增长6.5%，SK海力士增长12.7%，三星项目竞争比达13.44:1。学生在校期间即可接触高管授课、工厂参观，毕业后须服务公司一定年限。

电报 ·10小时前

【美股异动｜英特尔大涨超7%，SK海力士回应有关合作传闻】格隆汇9月16日｜英特尔(INTC.US)大涨超7%，报104.04美元；SK海力士(SKHY.US)涨2.5%，报179.2美元。消息面上，据报SK海力士正与英特尔洽谈合作事宜，计划首次在美国本土生产存储芯片。随后，SK海力士表示：有关与报道中提及的任何特定公司开展合作，或在美国生产存储芯片的事，目前没有任何定论。SK海力士正在探索多种方案以增强自己的全球竞争力，但还未敲定任何具体计划或安排。此外，英特尔CEO陈立武近日表示，随着AI智能体规模急速扩张，CPU需求已远超英特尔现有供给能力，目前仅能满足前沿客户约五成的需求。他还透露，公司制程技术取得重大进展，18A节点已进入量产，14A节点将于明年一季度投产。(格隆汇)

电报 ·昨天 21:43

【消息称三星显示即将敲定3000亿韩元RGB OLEDoS微显示器量产投资】格隆汇9月16日｜据市场消息，三星显示即将在本月的投资审查委员会会议中敲定对RGB OLEDoS量产的3000亿韩元投资计划。RGB OLEDoS属于Micro OLED微显示器技术的细分，其采用硅基板(oS, on Silicon)和RGB OLED子像素直接沉积技术路线。三星显示此次计划建设的RGB OLEDoS量产线预计月产能将在3000片晶圆左右，将采用韩国企业Sunic system提供的沉积设备。三星显示预计将在2026年Q4下达设备订单，2027年设备导入、2028年实现量产。

电报 ·昨天 19:11

【SK海力士：尚未确认有关SK海力士与英特尔就美国内存芯片生产进行谈判的报道所涉及的任何计划】格隆汇9月16日｜SK海力士(SKHY.US)：目前尚未确认有关SK海力士与英特尔就美国内存芯片生产进行谈判的报道所涉及的任何计划。正在探索多种选项以增强其全球竞争力，但尚未确定具体计划或安排。

电报 ·昨天 18:02

【中国存储全面追击！韩国半导体产业协会：DRAM差2年、NAND只差1年】格隆汇9月16日｜据快科技，韩国半导体产业协会首次量化了中国存储芯片与韩国的技术差距：NAND闪存仅落后1年，DRAM落后2年，HBM落后3年，此前这一差距长期维持在5年左右。NAND方面，三星和SK海力士2025年开始量产300层NAND，长江存储同期量产270层，到2027年，长江存储将跃升至400层，与三星和SK海力士的差距收窄至1年左右。DRAM方面，三星和SK海力士2023年开始量产DDR5，长鑫存储 2025年才跟上，差距约2年，但长鑫存储已经在量产LPDDR5X，并启动了LPDDR6的生产。HBM是差距最大的领域，目前落后约3年，长鑫存储刚启动HBM3E模块的试产，良率仅约25%，在TSV硅通孔工艺上仍面临挑战。

电报 ·昨天 11:58

【TrendForce：DDR5 16Gb(2Gx8)4800/5600现货均价较上日涨0.18%】格隆汇9月16日｜TrendForce数据显示，9月16日内存颗粒DDR5 16Gb (2Gx8) 4800/5600现货均价较上日上涨0.18%，DDR4 16Gb (2Gx8) 3200现货均价较上日下跌0.28%，DDR4 8Gb (1Gx8) 3200现货均价较上日上涨0.55%。

电报 ·昨天 11:11

【美股异动｜美光科技涨近2%，全球首款512GB DDR5 RDIMM内存模块亮相】格隆汇9月15日｜美光科技(MU.US)涨近2%，报942.16美元。消息面上，美光演示全球首款512GB DDR5 RDIMM内存模块，预计2027年下半年实现量产。Micron 512GB RDIMM的性能可比256GB DDR5配置高达1.4倍。AMD和英特尔都在积极验证该模块，预计其速度将达到9200 MT/s。(格隆汇)

电报 ·前天 22:36

【资源价格已攀升至历史峰值 本周行业DDR5内存条跟随成本上涨而小幅调涨】格隆汇9月15日｜据闪存市场消息，随着时间已步入三季度尾声，资源端经过近三个月的持续拉涨过后，行业DDR5次级颗粒及嵌入式LP资源已涨至历史峰值，但行业DDR5内存条、LP4X/5X成品因客户价格承受度已逼近极限，面对持续缩量的需求，部分存储厂商开始减缓资源采购，未来“低需求、低备货、低出货”的状态或将持续一段时间。继去年9月份起的近半年时间里，适用于行业DDR5内存条的次级颗粒以累计超6倍的涨速拉伸，3月下旬价格转跌一个月后持续横盘，并于三季度初价格止跌反弹，持续上涨下令DDR5次级颗粒价格创下历史新高。面对成本滚动上扬，行业厂商已分次调涨相关成品，但过高的产品价格正遭受更多的客户抵触，仅少数海外客户尚能接受高价，本周行业8GB/16GB DDR5内存条价格小幅调涨。当前，越来越多的PC OEM评估将更多产品转向降级方案来应对成本压力，客户需求的转变也将导致出货更加艰难，未来行业存储厂商对于高价资源的备货也将更加谨慎。

电报 ·前天 18:53

【铠侠：ADR上市的具体时间、交易市场及发行方式尚未确定】格隆汇9月15日｜铠侠：有关赴美上市的媒体报道并非来自本公司授权。ADR(美国存托凭证)上市的具体时间、交易市场及发行方式尚未确定。

电报 ·前天 09:49

【两部门：攻关端侧智能计算芯片、高端存储芯片、存算一体等新型架构】格隆汇9月15日｜工业和信息化部、国家发展改革委印发《电子信息制造业发展“十五五”规划》。其中提到，攻关端侧智能计算芯片、高端存储芯片，开发近存计算、存算一体等新型架构。研发端侧操作系统和芯片使能软件，完善开发框架、算子库、推理加速引擎等开发环境。研发算法架构和轻量化技术，发展智能体技术，研究多模型调度、多智能体协作体系。研发高动态、高实时姿态和运动控制技术，开发具身智能算法库、动作库、知识库。

电报 ·前天 09:24